收藏本站
Si7945DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.6
0.4
40
30
I D = 250 μA
0.2
20
- 0.0
10
- 0.2
- 0.4
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
Limited by R DS(on)
I DM Limited
P(t) = 0.0001
P(t) = 0.001
1
0.1
I D(on)
Limited
T A = 25 °C
Single Pulse
P(t) = 0.01
P(t) = 0.1
P(t) = 1
P(t) = 10
DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 60 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72090
S09-0227-Rev. D, 09-Feb-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7948DP-T1-GE3 MOSFET N-CH DL 60V PWRPAK 8-SOIC
SI7956DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC
SI7958DP-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC
SI7964DP-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC
SI7994DP-T1-GE3 MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC
SI7997DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
SI7998DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC
SI8405DB-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
相关代理商/技术参数
SI7946DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI7946DP_06 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI7946DP-T1 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI7946DP-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 150V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7946DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 150V 3.3A 3.5W 150mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7947DP-T1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7948DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7948DP-T1 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: